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氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（21）申请号CN201911174467.7（22）申请日2019.11.26（71）申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所地址200050上海市长宁区长宁路865号（10）申请公布号CN111312852A（43）申请公布日2020.06.19（72）发明人欧欣;徐文慧;游天桂;沈正皓（74）专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙代理人余明伟（51）Int.CI权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法（57）摘要本发明提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法，通过将氧化镓单晶晶片与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合，可成功转移氧化镓薄膜，键合技术成熟，且通过将绝缘体上硅中的顶层硅氧化，能够有效解决漏电问题，可制备高质量、防漏电的氧化镓半导体结构，提高基于氧化镓半导体结构制备的器件性能，重要的是将氧化镓薄膜转移到硅衬底上，使得器件不仅能与CMOS工艺兼容，而且可以实现量产，对于基
于氧化镓薄膜制备的日盲光电探测器的快速发展意义重大。法律状态法律状态公告日2020-06-192020-06-192020-07-14法律状态信息公开公开实质审查的生效法律状态公开公开实质审查的生效
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