si2301中文资料
场效应管：场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET英文为FieldEffectTransistor，简写成FET。SI2301是一种P沟道场效应管。简介：SI2301是MOS管的一种，属于场效应管。主要参数：晶体管类型：P沟道MOSFET最大功耗PD：1.25W
栅极门限电压VGS：2.5V（典型值）漏源电压VDS：－20V（极限值）漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）栅极漏电流IGSS：±100nA结温：55℃to+150℃封装：SOT-23(TO-236替代型号：WT-2301WTC2301SMG2301CES2301KI2301BDS封装类型：SOT-23P沟MOS晶体管：金属氧化物半导体场效应(MOS晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，
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